7月7日，一則來自證監會的備案公告，讓長鑫科技集團股份有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”）的名字，再次站上風口。這家國產DRAM（動態隨機存取存儲芯片）領軍企業，已正式啟動上市輔導，由中金與中信建投聯合輔導。

它可能是繼中芯國際之后，A股市場五年來最大規模的科技股IPO。

在長達二十余年的時間里，全球DRAM市場如同一塊由三星、SK海力士、美光三家韓美巨頭焊死的鐵板，合計占據超過95%的市場份額。長鑫存儲的出現，是第一次有中國企業憑借自身力量，在這塊鐵板上砸開了一道清晰可見的裂縫。

歷史選擇了長鑫

在長鑫存儲之前，我們對DRAM產業的沖擊，是一部跨越三十年、耗資數千億、漫長而曲折的歷史。DRAM技術壁壘之高，一度讓人望洋興嘆。

1975年，北京大學物理系便試制出中國第一塊1KDRAM，僅比英特爾量產全球首顆DRAM晚五年。然而，從科研到產業化的“最后一公里”，卻成了此后數十年無法跨越的天塹。

第一次大規模的嘗試是著名的“908工程”。上世紀90年代初，頂層重金支持無錫華晶電子，意圖打造中國第一座具備規模的晶圓廠。但直到1997年華晶工程才最終建成投產，技術水平已落后國際主流四到五代，喪失了商業競爭力。不過，相關人才卻繼續在行業深耕，并成為中國存儲產業的一支重要力量。

緊隨其后的“909工程”吸取了教訓，上海華虹微電子選擇了與日本NEC合作的路徑，精準定位當時市場需求旺盛的64MbDRAM產品。1999年華虹成功量產并于次年實現盈利，結果由于核心技術完全依賴NEC，2001年后，隨著NEC自身戰略調整、逐步退出DRAM市場，華虹的DRAM之路也只能被迫畫上句號。

再后來的中芯國際，也曾于2004年在北京建成了中國大陸第一座12英寸晶圓廠后，與日本DRAM大廠爾必達簽署代工協議。但這段合作同樣未能善終，雙方很快因商業糾紛對簿公堂，最終導致中芯國際在2008年退出了DRAM代工市場。

三代人的努力，三輪路徑的探索，最終都未能在中國本土培育出一棵DRAM產業的幼苗。經驗反復證明，DRAM這種資本與技術雙重高度密集的產業，需要一種能同時解決天量資本、持續研發、市場通道與戰略耐心的難題的全新模式。

歷史最終在2016年的合肥給出了答案。長鑫存儲的誕生，由“地方政府的戰略遠見+產業資本的專業能力+企業家的堅定決心”三位一體，合力促成。

故事的一方，是當時已憑借NOR Flash（一種利基型存儲芯片）成為全球知名存儲龍頭的兆易創新及其創始人朱一明。在嘗試收購DRAM廠商北京矽成失敗后，朱一明決心另起爐灶進攻DRAM。而另一方，正積極謀求產業轉型升級、以“最牛風投城市”聲名鵲起的安徽合肥，需要一個破局者。兩者一拍即合。

合肥以驚人的魄力聯合兆易創新，共同發起這個總投資高達180億元的12英寸DRAM項目。這次聯合，完美地解決了歷史上的幾大難題：

由政府主導的國有資本平臺——合肥產投，解決了項目在技術成熟前長達數年的、純市場化資本無法承受的巨額資金投入問題；

朱一明和兆易創新的團隊，為項目注入了最寶貴的產業know-how和市場化運營能力，避免了重蹈“908工程”與市場脫節的覆轍；

協議中約定長鑫存儲優先為兆易創新代工，兆易創新則幫助其代銷產品，形成了一個初期的商業閉環，解決了產品問世初期的市場通道問題。

在此基礎上，長鑫存儲展現了驚人的“吸金”能力。

隨著技術路徑的明確，一個由國家大基金二期、建信投資、中國人壽、小米、阿里、騰訊等組成的，囊括了大量頂級投資力量的“全明星”股東天團陸續入場。僅公開可查的幾輪融資，總金額就已接近300億元，天眼查顯示的最近一輪融資是在去年3月，融資金額達108億元，投前估值超過1400億元。

“眾人拾柴火焰高”的創新資本模式，最終破解了過去三十年中國DRAM產業屢屢折戟的魔咒，也解釋了“歷史為何選擇了長鑫”這一根本問題。

一條完整產業鏈

長鑫存儲叩門IPO之所以引發整個行業的強烈關注，還在于它并非一次孤立的單點突破。在它的身后，一條日漸完整且在多個環節具備全球競爭力的中國存儲產業鏈，正在快速成型。

這條產業鏈的另一顆“雙子星”，是與長鑫并稱“國產存儲雙雄”的長江存儲。如果說長鑫主攻的DRAM是信息產業的“臨時內存”，那么長江存儲聚焦的NAND閃存，則是決定數據存儲容量的“硬盤”。

在NAND領域，長江存儲的進展甚至更為迅猛。其獨創的Xtacking（晶棧）混合鍵合工藝，被認為是全球首個成功商用的3DNAND技術，能夠將產品開發時間縮短至少三個月，生產周期縮短20%。

目前，這項技術已迭代至4.0版本，應用于業界目前已商用化的最高層數——294層3DNAND芯片的量產，并且正在積極推進300層以上技術的開發。這項技術還授權給了三星。

在市場上，長江存儲同樣表現強勁，2025年第一季度其全球NAND市占率已達到8%，自有品牌“致態（ZhiTai）”在今年的“618”奪下銷量與交易額的雙料第一，超越了長期的市場霸主三星，獲得主流消費市場的認可。

長鑫存儲的“伯樂”兆易創新，本身就是NORFlash領域的全球巨頭，銷售額位居全球第二，僅次于臺灣的華邦電子，并且是全球率先實現45nm節點大規模量產的公司之一，持續保持著技術領先。

在EEPROM（一種可擦寫可編程只讀存儲器）這一細分領域，聚辰股份的產品被國家認定為“單項冠軍”，在國內處于絕對領先地位。

在連接原廠顆粒與終端市場的模組廠環節，國內的江波龍已然成長為營收規模第一的領軍者。江波龍在2017年收購了美光旗下的高端存儲品牌Lexar（雷克沙），用兩年時間成功切入了對品質和品牌要求更高的高端市場。其附加值更高的企業級SSD營收占比，在2024年已提升至38%。

從DRAM的長鑫，到NAND的長江，再到利基市場的兆易創新、模組環節的江波龍，長鑫存儲的IPO，更像是這支日漸成型的“產業軍團”吹響的集結號。

未盡的戰爭

中國存儲產業的發展不止于此，上市只是公司邁向更成熟階段的一個過程。

最緊迫，也是最尖銳的挑戰，來自技術的最前沿。AI發展催動HBM（高帶寬內存）取代傳統DRAM，成為決定AI芯片算力強弱、決定未來數據中心性能的關鍵。HBM通過3D堆疊技術，將多顆DRAM芯片垂直堆疊，實現了超高的內存帶寬，是英偉達等AI巨頭GPU中不可或缺的核心部件。

這個戰略高地，目前被SK海力士、三星和美光三家巨頭完全瓜分，合計占據超過90%的市場份額。據報道，這三家國際巨頭2025年的HBM產能，均已被客戶搶購一空。

國產存儲廠商已具備HBM3底層存儲顆粒的量產條件，部分設備公司也拿到了相關的封裝設備訂單，但從“具備底層能力”到“能夠大規模穩定量產出被頂級客戶驗證和采購的成熟HBM產品”，仍有漫長的路要走。

另一個挑戰來自市場和品牌的建設。盡管國產替代大勢所趨，但要真正轉變為市場用戶的自覺選擇，需要漫長的時間和信任的積累。國內模組廠商在采購存儲顆粒時，采用進口顆粒的比例依然高達80%到90%。目前新的項目則會優先考慮國產顆粒，但占比提升需要時間。

從在消費級市場憑借性價比獲得突破，到攻克要求更嚴苛、利潤更豐厚的企業級存儲市場，這是一場長征。

長鑫存儲的上市，無疑將為其提供充足的“彈藥”，所募集的數百億資金將直接用于技術的深化研發與產能的擴張，同時也將強力帶動上游國產設備廠商的共同成長。對于整個產業而言，這更像是一次提示：我們以自主可控為目標的存儲軍團，正在由成型，到成熟。

來源：松果財經

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